삼성전자가 미국에서 열린 'FMS 2026'에서 차세대 3D 메모리 기술인 zHBM과 zNAND-O를 업계 최초로 공개했다고 5일 밝혔습니다. AI 시대에 대응하는 메모리 기술 비전과 함께 400단 이상 V10 BV-NAND도 처음 선보이며 차세대 메모리 로드맵을 제시했습니다.

zHBM은 AI 가속기 위에 메모리를 직접 적층하는 구조로 HBM5 대비 최대 8배 높은 성능과 3배 향상된 전력 효율을 구현합니다. 400단 이상 V10 BV-NAND는 웨이퍼 본딩 기술을 적용해 저장 용량과 성능을 높였으며, HBM4E·HBM5·LPDDR5X-PIM·기업용 SSD 등 AI 데이터센터용 메모리 제품도 함께 공개했습니다.

삼성전자는 메모리와 로직, 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 '원스톱 솔루션'을 앞세워 AI 반도체 경쟁력을 강화한다는 전략입니다. 고객 맞춤형 설계부터 양산까지 통합 서비스를 제공해 AI 인프라 시장 공략에 속도를 낼 계획입니다.