삼성전자는 차세대 고대역폭메모리(HBM) 제품인 ‘HBM4E 12단’ 샘플을 글로벌 고객사에 공급했다고 밝혔습니다. 삼성전자는 지난 2월 HBM4 양산 출하에 이어 HBM4E 공급도 시작했습니다. 

HBM4E 12단은 1c(10나노급 6세대) D램과 4나노 공정 기반 로직 다이를 적용한 제품입니다. 핀당 최대 16Gbps 속도를 지원하며  48GB 용량을 구현했습니다. 삼성전자는 전작 대비 에너지 효율을 16%, 열 저항 특성을 14% 이상 개선했다고 밝혔습니다.

삼성전자는 이번 샘플 공급 이후 고객 일정에 맞춰 양산 공급을 추진할 계획입니다. 황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 “HBM4 양산에 이어 HBM4E 샘플 공급도 진행하게 됐다”며 “AI 메모리 시장 수요에 대응해 나가겠다”고 말했습니다.